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高速链路的远端串扰分析

发布时间:2025-06-12作者来源:金航标浏览:153


  随着数字数据速率的持续提升,信号带宽不断增加,互连结构的衰减也随之加剧。因此,接收端信号幅度变得更小。为了以合理的误码率(BER)恢复数据,必须尽可能保持高信噪比(SNR)。减少各类噪声(如反射、模式转换、回流路径弹跳和串扰)已成为高速接口信号完整性设计的严峻挑战。

实际应用中存在两种串扰类型,如图1所示。第一种是近端串扰(NEXT),有时称为反向串扰(在模拟射频领域称为"耦合")。NEXT是指在靠近发射端的受害者终端测得的电压。第二种是远端串扰(FEXT),有时称为正向串扰(在模拟射频领域称为"隔离")。FEXT是指在远离发射端的受害者终端测得的电压。[敏感词]将重点分析FEXT的特性及其分析方法。

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图1 Near-End Xtalk (NEXT) and Far-End Xtalk (FEXT)

基于差分信号与共模信号叠加理论的分析方法

一般来说,任何载有电信号的导线(干扰源)周围都存在电磁场。随着与导线水平距离的增加,电磁场幅度逐渐衰减。若另一导线(受害者)处于该电磁场范围内,能量将通过电场和磁场从干扰源传递至受害者。电场传递可通过导线间的互容模型描述,磁场传递则通过互感模型描述。[敏感词]将基于差分信号(DS)与共模信号(CS)叠加理论的新分析方法。

首先简要介绍差分信号分量(Differential Signal Components,DSC)与共模信号分量(Common Signal Components,CSC)的叠加理论。根据定义,差分信号分量是指任意时刻幅值相等且相位差180度(反相)的信号。差分信号是两个差分信号分量之差。共模信号分量是指任意时刻幅值相等且相位差为零(同相)的信号。共模信号是两个共模信号分量的平均值。

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图2 (a)原始2根信号的问题。(b), (c)为考虑叠加DS和CS

考虑图2a所示的两个特性阻抗为Z、传播速度为v、耦合长度为Lc的耦合传输线系统。第一条传输线的输入电压为任意电压V1,第二条传输线的输入电压为另一任意电压V2。由于V1和V2均为任意电压,它们不符合差分信号或共模信号分量的定义。我们的目标是求解图2a系统中A点和B点的电压。

根据DS与CS叠加理论,需要将原问题分解为两个子问题。在第一个子问题中(图2b),传输线以差分信号分量½(V1-V2)和-½(V1-V2)激励,并计算A点(VA,DS)和B点(VB,DS)的电压。由于传输线以差分信号激励,每条传输线的阻抗从Z降低为Zodd,差分阻抗为Zdiff=2·Zodd。

在第二个子问题中(图2c),传输线以共模信号分量½(V1+V2)激励,计算A点(VA,CS)和B点(VB,CS)的电压。由于传输线以共模信号激励,每条传输线的阻抗从Z升高为Zeven,共模阻抗为Zcom=½·Zeven。通过叠加两个子问题的解,可得到原问题的总电压:

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传播速度与介质结构的关系

影响FEXT特性的关键因素并非阻抗变化,而是差分信号与共模信号的传播速度差异。传输线时延(TD)定义为信号从起点传播到终点所需的时间,其值与传输线长度和电磁波传播速度相关。传播速度即电磁波在介质中的传输速率。

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图3 (a)单端微带周围的电磁场。(b),(c)分别由DSC和CSC激发的两条微带周围的电磁场

图3a展示了单端微带线的电磁场分布。本例中,导线宽度W=4mil,介质厚度H=5mil,介电常数Er=3.8,覆盖微带线的阻焊层SM厚度tSM=1mil(介电常数ErSM=3.3),阻焊层上方为空气(介电常数Erair=1)。可见电磁场穿过三种介质,因此有效介电常数Ereff取决于三种介质的介电常数及微带线几何结构(H、W、tSM)。通过场求解器计算本例的Ereff为3.025,对应的传播速度v=c/√Ereff=0.574c(c为真空中光速,3×10 m/s或12英寸/纳秒)。

当在距第一条微带线S=8mil处放置第二条相同微带线时(导线边缘间距),分别以差分模式和共模模式激励后的电磁场分布如图3b和图3c所示。此时有效介电常数Ereff还受导线间距S和介质厚度H的影响。在差分激励下(图3b),导线间的电势差导致空气中分布的电磁场占比更大,因此差分模式的有效介电常数Ereff,DS小于共模模式的有效介电常数Ereff,CS,对应传播速度关系为:

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通过场求解器计算不同介质厚度H(5、7、9mil)下,两条微带线的Ereff,DS和Ereff,CS随间距S的变化趋势如图4所示(注:图中标记点为场求解结果,连线为线性插值)。主要观测结论包括:

     -间距S增大时,导线间耦合减弱。差分模式下空气中电磁场占比减少,Ereff,DS增大;共模模式逐渐趋近单端微带线特性,Ereff,CS减小

-当S足够大或H较小时(高邻近度),导线呈弱耦合状态,Ereff,DS≈Ereff,CS≈Ereff

-H增大(低邻近度)时,更多电磁场分布于空气中,Ereff,DS和Ereff,CS均减小

-所有情况下,Ereff,DS < Ereff,CS,即vDS > vCS

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图4 Ereff,DS和Ereff,CS与不同介电厚度H

对于带状线(图5a),电磁场均匀分布于单一介质中,传播速度为v=c/√Er。即使差分激励和共模激励下电磁场分布不同(图5b、5c),但由于介质均匀:

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图5 (a)单端带状线周围的电磁场。(b),(c) DS和CS激发的两条带状线周围的电磁场

FEXT时域特性分析

考虑图6a所示微带线系统:顶部导线(线1)为干扰源,底部导线(线2)为受害者,初始电压均为0V。干扰源输入阶跃电压V1(0V→+1V,上升时间Tr),受害者终端接匹配负载(V2=0V)。此时B点电压VB即为FEXT响应。

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图6 (a)原始的FEXT问题。(b)差分激励的第一子问题。(c)具有共模激励的第二个子问题。


根据叠加理论,将问题分解为差分激励和共模激励两个子问题(图6b、6c)。在无损传输线中,差分信号分量(绿色)与共模信号分量(粉色)在B点的叠加过程如图7所示(黑色为FEXT信号)。由于vDS>vCS,差分信号分量经过时延TDDS=LC/vDS首先到达B点,使电压向负向变化;共模信号分量经过时延TDCS=LC/vCS到达,时延差ΔT=TDCS-TDDS=LC(1/vCS-1/vDS)。在ΔT时间段内,B点电压降至AFEXT。从TDCS时刻起,差分分量继续下降,共模分量以相同斜率上升,B点电压保持AFEXT恒定,直至差分分量完成下降(t=TDDS+Tr)。此后共模分量继续上升,B点电压开始回升,最终达到0V并保持稳定。

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图7 DSC(绿色)、CSC(粉色)和FEXT信号(黑色)在B点。

FEXT持续时间估算为:

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FEXT幅度估算为:

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由此可得FEXT关键特性:

- 耦合长度LC越长,ΔT越大,FEXT幅度越高(滚雪球效应)

- 干扰源信号上升时间Tr越短(SRagg越大),FEXT幅度越高

- 无损传输线中最大FEXT幅度为信号幅度的50%(当ΔT≥Tr时)

- 导线间距S增大时,Ereff,CS与Ereff,DS差异减小,ΔT和FEXT幅度降低

- 介质厚度H增大时,Ereff,CS与Ereff,DS差异增大,ΔT和FEXT幅度升高

对于带状线,由于vDS=vCS,ΔT=0,差分与共模分量同时到达,相互抵消,FEXT幅度趋近于零。实际PCB中因介质不均匀性可能产生微小FEXT,但远低于微带线情况。

FEXT频域特性分析

通过S参数分析多通道系统(图11a)时,端口1注入正弦波激励,端口4测得的耦合电压即为FEXT。将问题分解为差分激励和共模激励两个子问题(图11b、11c),B点电压为:

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当满足相位条件:

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时,FEXT幅度达到最大值,对应频率:

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最小值频率位于相邻最大值频率中点。对于带状线,因vDS=vCS,最大FEXT频率趋于无限大,实际可忽略。

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图11频域FEXT分析(a)原始问题(b)差分激励的第一子问题(c)共模激励的第二子问题。

工程设计建议

在高速多通道布线中,建议采用非交错式带状线布线(图10)。若使用两个内层,所有发送端差分对应布设于一个层,接收端差分对应布设于另一层;单层布线时,发送端和接收端差分对应分组布置,间距至少3H以降低NEXT。这种布线方式利用带状线的低FEXT特性,使NEXT主要作用于受害者发射端,由终端匹配吸收,避免影响接收端信号。

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图10非交错布线

免责声明:本文采摘自芯片电源完整性与信号完整性设计,本文仅代表作者个人观点,不代表金航标及行业观点,只为转载与分享,支持保护知识产权,转载请注明原出处及作者,如有侵权请联系我们删除。

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